“先进封装的包括Bump(凸点/凸块），RDL（再布线），Wafer（晶圆）/WLP，TSV（硅通孔）四大要素，四要素组合形成不同的工艺，如倒装/FC，晶圆级封装/WLP，2.5D，3D封装等等”
“传统芯片通过引线实现芯片PAD和框架之间的电气连接，而先进封装用凸点/凸块替代引线进行连接，从而缩短了电流路径和物理尺寸。”
“……”
“再布线技术可以实现引脚重新布局，满足更多的芯片管脚需求。RDL再布线技术可以实现芯片水平方向互连，重新规划连线途径，变换芯片初始设计的I/O焊盘位置和排列，调整为新的互连结构。”
“……”
“先进封装技术如3D堆叠和2.5D集成，依赖于晶圆作为基础来实现更高的集成度。晶圆在先进封装中不仅是芯片的载体，还作为RDL和TSV等互连技术的介质，这些技术在晶圆级别上实现更复杂的电路布局和更高的I/O密度。”
“……”
“而TSV则是在芯片和芯片之间，晶圆和晶圆之间制作垂直导通孔并填充金属等导电材料来实现芯片垂直互连，首先是利用深反应离子刻蚀（DRIE）制作TSV孔，等离子增强化学气相沉积（PECVD）制作介电层，物理气相沉积（PVD）制作阻挡层和种子层、电镀铜（Cu）填孔，化学机械抛光（CMP）去除多余的金属。在3D集成时，还需要进行晶圆减薄和薄晶键合。”
“……”
王东来在台上侃侃而谈，下面的众人则是聚精会神地听着。
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